對于裝機選購電腦內(nèi)存的時候，更多的用戶只關(guān)注內(nèi)存品牌、內(nèi)存容量、內(nèi)存頻率，而只有少部分人會關(guān)心內(nèi)存時序，其實內(nèi)存時序也是內(nèi)存的其中一項參數(shù)，但是不少用戶對電腦內(nèi)存時序是什么意思不太了解，更不知道內(nèi)存時序高好還是低好，下面裝機之家曉龍就來給大家科普一下關(guān)于內(nèi)存時序的基礎(chǔ)知識。
電腦內(nèi)存條
電腦內(nèi)存時序是什么意思？
內(nèi)存時序，英文是”Memory Timing“，是描述內(nèi)存性能的一項參數(shù)，一般存儲在內(nèi)存的SPD中，通常電腦內(nèi)存時序會標注在內(nèi)存銘牌上，當然也有些內(nèi)存品牌不會標注，我們可以在該型號內(nèi)存參數(shù)中查看，或者使用CPU-Z進行查看。
內(nèi)存時序通常被寫為破折號分隔開的四組數(shù)字，例如下圖的內(nèi)存銘牌上標注的“16-18-18-38”就代表內(nèi)存時序。當然也有的內(nèi)存只標注前三個數(shù)字的，還有些標注五個數(shù)字，即Command rate（命令速率），通常為2T或1T，也寫作2N、1N。反映的都是內(nèi)存不同工作環(huán)節(jié)當中的延遲時間，數(shù)值越低意味著性能越好，而真正決定平臺性能水平的延遲時間單位是納秒（ns,nanosecond）。
電腦內(nèi)存時序高好還是低好？
內(nèi)存時序是描述同步動態(tài)隨機存取存儲器性能的四個參數(shù)：地址訪問潛伏時間（CL）、行地址到列地址等待時間（TRCD）、行地址預(yù)充電時間（TRP）和行地址活動時間（TRAS），單位為時鐘周期，數(shù)值越小代表越好，其中CL值，也就是時序當中首個數(shù)字是確切的周期數(shù)，CL對內(nèi)存性能的影響是最明顯的，所以很多產(chǎn)品都會把內(nèi)存CL值標在產(chǎn)品名上，而后面的三個數(shù)字都是最小周期數(shù)。
內(nèi)存時序參數(shù)影響隨機存儲存儲器速度的延遲時間，較低的數(shù)字通常意味著更快的性能，所以在同代同頻率的情況下，內(nèi)存時序越小越好，一般情況下大家只需要看內(nèi)存時序中的第一個數(shù)字，也就是CL值，數(shù)字越小越好。
如何查看電腦內(nèi)存的時序？
我們可以下載一款CPU-Z軟件，在內(nèi)存的選項卡中查看CL、TRCD、TRP、TRAS的四個數(shù)值。
內(nèi)存時序不一樣能兼容不？
現(xiàn)在的主板對不同主頻，不同時序，不同品牌的內(nèi)存的兼容能力都很強，只要是內(nèi)存代數(shù)相同，內(nèi)存時序不同是能夠兼容的。
一般來說，我們看內(nèi)存時序只需要看CL值就可以了，也就是開頭第一組數(shù)字，這組數(shù)字在同代同頻率下越小越好，希望本文能夠幫助到大家。
