如今，新電腦已經(jīng)完全普及DDR4內(nèi)存，已經(jīng)是目前主流。從內(nèi)存的發(fā)展歷史來看，歷代內(nèi)存發(fā)展都是往高頻、低功耗的路線發(fā)展的，而DDR4內(nèi)存也不例外，那么DDR3與DDR4內(nèi)存有什么區(qū)別？DDR4相比DDR3內(nèi)存有哪些改進(jìn)？下面裝機(jī)之家來幫廣大用戶來科普一下知識。
電腦內(nèi)存的作用是什么？
內(nèi)存與CPU是屬于橋梁關(guān)系，任何在電腦中運(yùn)行的程序都必須經(jīng)過內(nèi)存，我們運(yùn)行電腦中某個程序，CPU需要將CPU運(yùn)算的數(shù)據(jù)調(diào)到內(nèi)存中進(jìn)行運(yùn)算，運(yùn)算完畢之后，CPU再將結(jié)果傳送出來。通俗的說，內(nèi)存就是連接CPU之間的橋梁，如果橋越寬越大，那么能夠經(jīng)過的汽車就越多越快。
與硬盤不同的是，不過存儲在內(nèi)存中的數(shù)據(jù)都屬于臨時存儲，電腦一旦斷電、關(guān)機(jī)、重啟之后，內(nèi)存中數(shù)據(jù)會被清空，而硬盤斷電之后，不損失數(shù)據(jù)，只要你不刪除，不格式化，數(shù)據(jù)依然存放在硬盤中。
DDR3與DDR4內(nèi)存有什么區(qū)別？
1、容量變化
DDR4內(nèi)存采用了差分信號技(DiffrentialSignaling)術(shù)和三維堆疊技術(shù)(3DS)。DDR4內(nèi)存既采用了傳統(tǒng)的SE信號，還采用了差分信號技術(shù)，傳統(tǒng)的SE信號傳輸機(jī)制在高頻率下信號容易受到干擾，而差分信號技術(shù)采用兩條線路來傳送一個信號，大大增加了抗干擾能力。它用來增大單顆芯片的容量。在使用了3DS堆疊封裝技術(shù)后，單條內(nèi)存的容量最大可以達(dá)到DDR3產(chǎn)品的8倍之多。舉例來說，目前常見的大容量內(nèi)存單條容量為8GB（單顆芯片512MB，共16顆），而DDR4則完全可以達(dá)到64GB，甚至128GB。
