氮化物半導體材料，也稱為氮化鎵(GaN)基材料，是繼硅(Si)、砷化鎵(GaAs)之后的第3代半導體材料，包含了GaN、氮化鋁(AlN)和氮化銦(InN)及它們的合金(禁帶寬度范圍為0.7-6.2eV)，是直接帶隙半導體，是制作從紫外到可見光波段半導體激光器的理想材料。半導體激光器具有體積小、效率高、壽命長和響應速度快等優點，在信息科技等領域有廣泛的應用，是光電子產業的龍頭產品。氮化鎵激光器在激光顯示、激光照明、水下通信、生物醫學等民用及軍用領域有廣泛應用。
據中國半導體行業協會支撐業分會的測算，2016年我國半導體材料市場規模為647億元，比2015年的591億元增長9.5%。自2011年以來，我國半導體材料的市場規模及增長率如下圖所示。在2016年我國半導體材料市場中，集成電路晶圓制造材料的市場規模為330.28億元，同比增長4.2%;集成電路封裝材料的市場規模為318.0億元，同比增長16.1%。根據中研普華產業研究院數據顯示，2017年半導體材料市場規模達到711.6億元，同比增長9.83%。
GaN最初是為支持政府軍事和太空項目而開發，但已得到商業市場的完全認可和應用，在無線基礎設施領域的應用已超越國防應用，市場占比超過GaN市場總量的一半以上。隨著對數據傳輸及更高工作頻率和帶寬需求的增長，2016-2022年無線基礎設施領域的CAGR將達到16%。在未來的網絡設計中，如載波聚合和大規模MIMO等新技術的發展應用，將使GaN比現有橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)更具優勢。但與此同時，國防領域仍將是GaN不可忽視的重要應用市場，并保持穩定增長。GaN在國防領域的應用主要包括IED干擾器、軍事通訊、雷達、電子對抗等。
2017-2018年，在無線基礎設施及國防應用市場需求增長的推動下，GaN市場會進一步放大，但增速會較2015年有所放緩。2019-2020年，5G網絡的實施將接棒推動氮化鎵市場增長。預計到未來10年，氮化鎵市場將有望超過30億美元。
