1. 哪里看電腦硬盤內存條頻率
不要怕麻煩，用軟件是有很多好處的。
HDTUNE可以測。
外包裝，上下封口處，紙皮是否完整。
打開包裝有塑料味，各種配件存放有序，各種配線工業式捆扎，一般人捆不成那樣。
外包裝與機身序列號一致。
看散熱口內側是否有灰。
轉軸處是否有灰，多試幾次開合是否自然。
筆記本螺釘是否刮傷，封口是否損壞。
看鍵盤是否平整，尤其空格鍵。
底面橡膠墊是干凈的磨砂狀態。
用對Diskgenuis磁盤進行壞道掃描。
用Activef掃描硬盤，是否有其他文件，有就是用過的硬盤。
用everest,hd tune,ludashi檢查硬盤通電時間，測內存品牌，CPU，顯卡，顯示器，主板型號等各種信息，各種電壓是否正常。
用DISPLAYX測顯示器是否有壞點（固定色點、亮點、黑點）。
用CPU-Z檢測CPU 用GPU-Z檢測顯卡。
用wcpuid檢測處理器實時主頻。
出廠預裝操作系統的，第一次啟動需要一定時間，不會馬上進入桌面。
正規發票，保修卡。
2. 怎么看電腦內存條頻率
1、在需要查看功耗的電腦上下載安裝“魯大師”工具，之后打開運行，然后切換到“硬件檢測”界面，然后再點擊左側底部的“功耗估算”。
2、之后魯大師會自動檢測到電腦CPU、顯卡電壓、主板、硬盤電壓、內存電壓等型號，并會顯示硬件功耗電壓。
3. 電腦內存條在哪看頻率
電腦內存條的運行頻率的查詢方法，主要是通過命令實現的。
首先是按下WIN鍵+R組合鍵，打開運行，輸入cmd，回車，進入命令提示符窗口，在其中輸入wmic memorychip注意，wmic和memorychip兩個單詞之間的空格不要忽略，之后就可以進入到頻率的查詢界面。
4. 電腦上怎么看內存條頻率
在設備管理器中是沒有內存條信息的，所以你是看不到的。
1，鼠標右鍵單擊我的電腦－－屬性－－在“常規”選項卡上下面的位置你就可以看到內存的大小，如果你電腦的顯卡是獨立顯卡，在這里顯示的內存大小就是實際大小。如果是集成顯卡在這里顯示的內存大小就是實際大小還需要加上顯存占用的大小。
2，重啟電腦，按住Del鍵進入bios設置主界面，選擇第一項回車，進入的新界面中你就可以看到內存的實際大小了。
3，如果你還想知道內存的規格型號等信息，可以打開機箱查看，再就是借助第三方軟件查看，如windows優化大師。
5. 在哪看電腦內存條頻率
查看CPU運行頻率直接桌面上按組合鍵Ctrl + Shift + Del ,調出“任務管理器”窗口,主要硬件CPU、內存、硬盤的使用率。
其他方法/步驟
1.首先，打開軟件CPU-Z。沒有這個軟件的可以自己去網上下載一個，不要問我怎么下（最好下載漢化的）
2.在這里，你可以看到當前CPU的運行頻率。這個頻率不是始終一樣的，而是根據當前的電腦環境，有所波動的。
3.通過這個可以看出當前電腦CPU的頻率。
4.CPU-Z這個軟件還能查詢當前電腦內存條信息。方便的知道內存容量，以便后續升級。
5.CPU
還有個重要的要素就是緩存，一般而言，緩存越大，能夠儲存的東西就越多，速度也會越快。
6.這個軟件還有一些比較實用的功能，比如查看顯卡信息等。要查看顯卡，也可下載GPU-Z這軟件喔。
拓展資料
CPU頻率，就是CPU的時鐘頻率，簡單說是CPU運算時的工作的頻率（1秒內發生的同步脈沖數）的簡稱。單位是Hz。它決定計算機的運行速度，隨著計算機的發展，主頻由過去MHZ發展到了當前的GHZ（1GHZ=10^3MHZ=10^6KHZ= 10^9HZ）。
通常來講，在同系列微處理器，主頻越高就代表計算機的速度也越快，但對于不同類型的處理器，它就只能作為一個參數來作參考。另外CPU的運算速度還要看CPU的流水線的各方面的性能指標。由于主頻并不直接代表運算速度，所以在一定情況下，很可能會出現主頻較高的CPU實際運算速度較低的現象。因此主頻僅僅是CPU性能表現的一個方面，而不代表CPU的整體性能。
6. 哪里看電腦硬盤內存條頻率高低
可以的。
1.換內存條的原則是：新選擇的內存條頻率和原來的相同，大小大于原內存條即可。
2.還可以新增一條內存條組成雙通道內存，從而提升電腦的性能，新增內存條的原則是：新選擇的內存條需要和原來的大小型號相同，否則會出現不兼容的情況。
3.內存是計算機中重要的部件之一，是與CPU進行溝通的橋梁。計算機中所有程序的運行都是在內存中進行的，因此內存的性能對計算機的影響非常大。
4.內存(Memory)也被稱為內存儲器，其作用是用于暫時存放CPU中的運算數據，以及與硬盤等外部存儲器交換的數據。只要計算機在運行中，CPU就會把需要運算的數據調到內存中進行運算，當運算完成后CPU再將結果傳送出來，內存的運行也決定了計算機的穩定運行。內存是由內存芯片、電路板、金手指等部分組成的。
7. 怎樣查看電腦內存條頻率
1打開電腦管家，點擊工具箱-硬件檢測
2進入硬件檢測頁面，點擊內存信息，看到內存頻率，1600MHZ的是第三代內存條
第一代內存條:200/266/300/400MHZ 第二代內存條:533/667/800MHZ
第三代內存條:1066/1600/2133/1333MHZ
第四代內存條:3000/2666/3200/2400MHZ
8. 怎樣看電腦內存條的頻率
一種參數，一般存儲在內存條的SPD上。2-2-2-8 4個數字的含義依次為：CAS Latency（簡稱CL值）內存CAS延遲時間，他是內存的重要參數之一，某些牌子的內存會把CL值印在內存條的標簽上。RAS－to－CAS Delay（tRCD），內存行地址傳輸到列地址的延遲時間。Row－precharge Delay（tRP），內存行地址選通脈沖預充電時間。Row－active Delay（tRAS），內存行地址選通延遲。這是玩家最關注的4項時序調節，在大部分主板的BIOS中可以設定，內存模組廠商也有計劃的推出了低于JEDEC認證標準的低延遲型超頻內存模組，在同樣頻率設定下，最低“2-2-2-5”這種序列時序的內存模組確實能夠帶來比“3-4-4-8”更高的內存性能，幅度在3至5個百分點。
在一些技術文章里介紹內存設置時序參數時，一般數字“A-B-C-D”分別對應的參數是“CL-tRCD-tRP-tRAS”，現在你該明白“2-3-3-6”是什么意思了吧？！^_^下面就這幾個參數及BIOS設置中影響內存性能的其它參數逐一給大家作一介紹：
一、內存延遲時序“CL-tRCD-tRP-tRAS”的設置
首先，需要在BIOS中打開手動設置，在BIOS設置中找到“DRAM Timing Selectable”，BIOS設置中可能出現的其他描述有：Automatic Configuration、DRAM Auto、Timing Selectable、Timing Configuring By SPD等，將其值設為“Menual”（視BIOS的不同可能的選項有：On/Off或Enable/Disable），如果要調整內存時序，應該先打開手動設置，之后會自動出現詳細的時序參數列表：
Command Per Clock(CPC)
可選的設置：Auto，Enable(1T)，Disable(2T)。
Command Per Clock(CPC：指令比率，也有翻譯為：首命令延遲)，一般還被描述為DRAM Command Rate、CMD Rate等。由于目前的DDR內存的尋址，先要進行P-Bank的選擇（通過DIMM上CS片選信號進行），然后才是L-Bank/行激活與列地址的選擇。這個參數的含義就是指在P-Bank選擇完之后多少時間可以發出具體的尋址的L-Bank/行激活命令，單位是時鐘周期。
顯然，也是越短越好。但當隨著主板上內存模組的增多，控制芯片組的負載也隨之增加，過短的命令間隔可能會影響穩定性。因此當你的內存插得很多而出現不太穩定的時間，才需要將此參數調長。目前的大部分主板都會自動設置這個參數。
該參數的默認值為Disable(2T)，如果玩家的內存質量很好，則可以將其設置為Enable(1T)。
CAS Latency Control(tCL)
可選的設置：Auto，1，1.5，2，2.5，3，3.5，4，4.5。
一般我們在查閱內存的時序參數時，如“3-4-4-8”這一類的數字序列，上述數字序列分別對應的參數是“CL-tRCD-tRP-tRAS”。這個3就是第1個參數，即CL參數。
CAS Latency Control(也被描述為tCL、CL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay)，CAS latency是“內存讀寫操作前列地址控制器的潛伏時間”。CAS控制從接受一個指令到執行指令之間的時間。因為CAS主要控制十六進制的地址，或者說是內存矩陣中的列地址，所以它是最為重要的參數，在穩定的前提下應該盡可能設低。
內存是根據行和列尋址的，當請求觸發后，最初是tRAS（Activeto Precharge Delay），預充電后，內存才真正開始初始化RAS。一旦tRAS激活后，RAS（Row Address Strobe ）開始進行需要數據的尋址。首先是行地址，然后初始化tRCD，周期結束，接著通過CAS訪問所需數據的精確十六進制地址。期間從CAS開始到CAS結束就是CAS延遲。所以CAS是找到數據的最后一個步驟，也是內存參數中最重要的。
這個參數控制內存接收到一條數據讀取指令后要等待多少個時鐘周期才實際執行該指令。同時該參數也決定了在一次內存突發傳送過程中完成第一部分傳送所需要的時鐘周期數。這個參數越小，則內存的速度越快。必須注意部分內存不能運行在較低的延遲，可能會丟失數據，因此在提醒大家把CAS延遲設為2或2.5的同時，如果不穩定就只有進一步提高它了。而且提高延遲能使內存運行在更高的頻率，所以需要對內存超頻時，應該試著提高CAS延遲。
該參數對內存性能的影響最大，在保證系統穩定性的前提下，CAS值越低，則會導致更快的內存讀寫操作。CL值為2為會獲得最佳的性能，而CL值為3可以提高系統的穩定性。注意，WinbondBH-5/6芯片可能無法設為3。
RAS# to CAS# Delay(tRCD)
可選的設置：Auto，0，1，2，3，4，5，6，7。
該值就是“3-4-4-8”內存時序參數中的第2個參數，即第1個4。RAS# to CAS# Delay(也被描述為：tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD)，表示"行尋址到列尋址延遲時間"，數值越小，性能越好。對內存進行讀、寫或刷新操作時，需要在這兩種脈沖信號之間插入延遲時鐘周期。在JEDEC規范中，它是排在第二的參數，降低此延時，可以提高系統性能。建議該值設置為3或2，但如果該值設置太低，同樣會導致系統不穩定。該值為4時，系統將處于最穩定的狀態，而該值為5，則太保守。
如果你的內存的超頻性能不佳，則可將此值設為內存的默認值或嘗試提高tRCD值。
Min RAS# Active Timing(tRAS)
可選的設置：Auto，00，01，02，03，04，05，06，07，08，09，10，11，12，13，14，15。
該值就是該值就是“3-4-4-8”內存時序參數中的最后一個參數，即8。Min RAS# Active Time (也被描述為：tRAS、Active to Precharge Delay、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay、RAS Active Time)，表示“內存行有效至預充電的最短周期”，調整這個參數需要結合具體情況而定，一般我們最好設在5－10之間。這個參數要根據實際情況而定，并不是說越大或越小就越好。
如果tRAS的周期太長，系統會因為無謂的等待而降低性能。降低tRAS周期，則會導致已被激活的行地址會更早的進入非激活狀態。如果tRAS的周期太短，則可能因缺乏足夠的時間而無法完成數據的突發傳輸，這樣會引發丟失數據或損壞數據。該值一般設定為CAS latency + tRCD + 2個時鐘周期。如果你的CAS latency的值為2，tRCD的值為3，則最佳的tRAS值應該設置為7個時鐘周期。為提高系統性能，應盡可能降低tRAS的值，但如果發生內存錯誤或系統死機，則應該增大tRAS的值。
如果使用DFI的主板，則tRAS值建議使用00，或者5-10之間的值。
Row Precharge Timing(tRP)
可選的設置：Auto，0，1，2，3，4，5，6，7。
該值就是“3-4-4-8”內存時序參數中的第3個參數，即第2個4。Row Precharge Timing (也被描述為：tRP、RAS Precharge、Precharge to active)，表示"內存行地址控制器預充電時間"，預充電參數越小則內存讀寫速度就越快。
tRP用來設定在另一行能被激活之前，RAS需要的充電時間。tRP參數設置太長會導致所有的行激活延遲過長，設為2可以減少預充電時間，從而更快地激活下一行。然而，想要把tRP設為2對大多數內存都是個很高的要求，可能會造成行激活之前的數據丟失，不能順利地完成讀寫操作。對于桌面計算機來說，推薦預充電參數的值設定為2個時鐘周期，這是最佳的設置。如果比此值低，則會因為每次激活相鄰緊接著的bank將需要1個時鐘周期，這將影響DDR內存的讀寫性能，從而降低性能。只有在tRP值為2而出現系統不穩定的情況下，將此值設定為3個時鐘周期。
如果使用DFI的主板，則tRP值建議2-5之間的值。值為2將獲取最高的性能，該值為4將在超頻時獲取最佳的穩定性，同樣的而該值為5，則太保守。大部分內存都無法使用2的值，需要超頻才可以達到該參數。
Row Cycle Time(tRC)
可選的設置：Auto，7-22，步幅值1。
Row Cycle Time(tRC、RC)，表示“SDRAM行周期時間”，它是包括行單元預充電到激活在內的整個過程所需要的最小的時鐘周期數。
其計算公式是：row cycle time (tRC) = minimum row active time(tRAS) + row precharge time(tRP)。因此，設置該參數之前，你應該明白你的tRAS值和tRP值是多少。如果tRC的時間過長，會因在完成整個時鐘周期后激活新的地址而等待無謂的延時，而降低性能。然后一旦該值設置過小，在被激活的行單元被充分充電之前，新的周期就可以被初始化。
在這種情況下，仍會導致數據丟失和損壞。因此，最好根據tRC = tRAS + tRP進行設置，如果你的內存模塊的tRAS值是7個時鐘周期，而tRP的值為4個時鐘周期，則理想的tRC的值應當設置為11個時鐘周期。
Row Refresh Cycle Time(tRFC)
可選的設置：Auto，9-24，步幅值1。
Row Refresh Cycle Time(tRFC、RFC)，表示“SDRAM行刷新周期時間”，它是行單元刷新所需要的時鐘周期數。該值也表示向相同的bank中的另一個行單元兩次發送刷新指令(即：REF指令)之間的時間間隔。tRFC值越小越好，它比tRC的值要稍高一些。
如果使用DFI的主板，通常tRFC的值不能達到9，而10為最佳設置，17-19是建議值。建議從17開始依次遞減來測試該值。大多數穩定值為tRC加上2-4個時鐘周期。
Row to Row Delay(RAS to RAS delay)(tRRD)
可選的設置：Auto， 0-7，每級以1的步幅遞增。
Row to Row Delay，也被稱為RAS to RAS delay (tRRD)，表示"行單元到行單元的延時"。該值也表示向相同的bank中的同一個行單元兩次發送激活指令(即：REF指令)之間的時間間隔。tRRD值越小越好。
延遲越低，表示下一個bank能更快地被激活，進行讀寫操作。然而，由于需要一定量的數據，太短的延遲會引起連續數據膨脹。于桌面計算機來說，推薦tRRD值設定為2個時鐘周期，這是最佳的設置，此時的數據膨脹可以忽視。如果比此值低，則會因為每次激活相鄰緊接著的bank將需要1個時鐘周期，這將影響DDR內存的讀寫性能，從而降低性能。只有在tRRD值為2而出現系統不穩定的情況下，將此值設定為3個時鐘周期。
如果使用DFI的主板，則tRRD值為00是最佳性能參數，4時能達到最高的頻率。通常2是最合適的值，00看上去很奇怪，但有人也能穩定運行在00-260MHz。
Write Recovery Time(tWR)
可選的設置：Auto，2，3。
Write Recovery Time (tWD)，表示“寫恢復延時”。該值說明在一個激活的bank中完成有效的寫操作及預充電前，必須等待多少個時鐘周期。這段必須的時鐘周期用來確保在預充電發生前，寫緩沖中的數據可以被寫進內存單元中。同樣的，過低的tWD雖然提高了系統性能，但可能導致數據還未被正確寫入到內存單元中，就發生了預充電操作，會導致數據的丟失及損壞。
如果你使用的是DDR200和266的內存，建議將tWR值設為2；如果使用或DDR400，則將tWD值設為3。如果使用DFI的主板，則tWR值建議為2。
Write to Read Delay(tWTR)
可選的設置：Auto，1，2。
Write to Read Delay (tWTR)，表示“讀到寫延時”。三星公司稱其為“TCDLR (last data in to read command)”，即最后的數據進入讀指令。它設定向DDR內存模塊中的同一個單元中，在最后一次有效的寫操作和下一次讀操作之間必須等待的時鐘周期。
tWTR值為2在高時鐘頻率的情況下，降低了讀性能，但提高了系統穩定性。這種情況下，也使得內存芯片運行于高速度下。換句話說，增加tWTR值，可以讓內容模塊運行于比其默認速度更快的速度下。如果使用DDR266或DDR333，則將tWTR值設為1；如果使用DDR400，則也可試著將tWTR的值設為1，如果系統不穩定，則改為2。
Refresh Period(tREF)
可選的設置：Auto， 0032-4708，其步進值非固定。
Refresh Period (tREF)，表示“刷新周期”。它指內存模塊的刷新周期。
先請看不同的參數在相同的內存下所對應的刷新周期(單位：微秒，即：一百萬分之一秒)。?號在這里表示該刷新周期尚無對應的準確數據。
1552= 100mhz 2064= 133mhz 2592= 166mhz 3120= 200mhz ---------------------
3632= 100mhz 4128= 133mhz
4672= 166mhz
0064= 200mhz
---------------------
0776= 100mhz 1032= 133mhz 1296= 166mhz 1560= 200mhz
---------------------
1816= 100mhz 2064= 133mhz 2336= 166mhz 0032= 200mhz ---------------------
0388= 100mhz(15.6us)
0516= 133mhz(15.6us)
0648= 166mhz(15.6us)
0780= 200mhz(15.6us)
---------------------
0908= 100mhz(7.8us)
1032= 133mhz(7.8us)
1168= 166mhz(7.8us)
0016= 200mhz(7.8us)
---------------------
1536= 100mhz(3.9us)
2048= 133mhz(3.9us)
2560= 166mhz(3.9us)
3072= 200mhz(3.9us)
---------------------
3684= 100mhz(1.95us)
4196= 133mhz(1.95us)
4708= 166mhz(1.95us)
0128= 200mhz(1.95us)
如果采用Auto選項，主板BIOS將會查詢內存上的一個很小的、名為“SPD”(Serial Presence Detect )的芯片。SPD存儲了內存條的各種相關工作參數等信息，系統會自動根據SPD中的數據中最保守的設置來確定內存的運行參數。如過要追求最優的性能，則需手動設置刷新周期的參數。一般說來，15.6us適用于基于128兆位內存芯片的內存（即單顆容量為16MB的內存），而7.8us適用于基于256兆位內存芯片的內存（即單顆容量為32MB的內存）。注意，如果tREF刷新周期設置不當，將會導致內存單元丟失其數據。
另外根據其他的資料顯示，內存存儲每一個bit，都需要定期的刷新來充電。不及時充電會導致數據的丟失。DRAM實際上就是電容器，最小的存儲單位是bit。陣列中的每個bit都能被隨機地訪問。但如果不充電，數據只能保存很短的時間。因此我們必須每隔15.6us就刷新一行。每次刷新時數據就被重寫一次。正是這個原因DRAM也被稱為非永久性存儲器。一般通過同步的RAS-only的刷新方法（行刷新），每行每行的依次刷新。早期的EDO內存每刷新一行耗費15.6us的時間。因此一個2Kb的內存每列的刷新時間為15.6?s x2048行=32ms。
9. 電腦怎么看內存條的頻率
1.
內存條標簽上看內存頻率 取出電腦內存,找到帶有標簽的一面,上面有很多參數,比如金士頓第一排KVR24N17D8/8-SP,KVR代表經濟型,24N表示它的頻率2400MHZ,D8表示單面8顆顆粒,/8表示容量8G。
2.
BIOS系統查看內存頻率 打開電腦,開機顯示主板LOGO時按DEL鍵,進入BIOS,進入之后選擇Main(標準設定),查看里面的memory frequency(內存頻率),后面的數字2400MHZ代表此內存頻率大小。
3.
進入電腦系統查看內存頻率 進入win10系統,按組合鍵ctrl+alt+del,選擇任務管理器,點擊上方的性能,點擊“內存”在右下方可以看到內存使用情況,以及速度2666MHZ,這里的速度指內存頻率。
10. 電腦內存條怎么看頻率
電腦內存條的頻率，到底內存頻率對性能影響有多大，剛開始了解電腦硬件的小伙伴估計有很多這方面的疑惑。總之就是高頻內存條的頻率到底是由誰來決定，我相信看完這篇文章之后，你會有一個明晰的答案，對于以后在選擇硬件的時候也會大有助益。
方法/步驟
1，頻率是什么？內存條的頻率是什么？其實和CPU頻率概念差不多，都是用來表示其工作性能，也就是處理速度的這么一項參數。計算機系統的時鐘速度是以頻率來衡量的，頻率越高速度就越快，一般我們從CPU-z讀取到的頻率是核心頻率，而內存條標注頻率一般是指等效頻率，一般等效頻率是核心頻率的兩倍。內存本身不能決定其工作的頻率，其工作頻率受制于主板和CPU工作頻率。
2，這里我給你舉個列子能更好說明此類問題，如果你買了一個2133MHz頻率的內存條，CPU 是I7 其支持的最大內存頻率是2400，并且同時主板支持最大的頻率如果也是2400的話，那么在不超頻的前提下你將你的內存條插入到主板之后，內存條就會在默認的2133頻率下工作。
3，如果你買了一條2400頻率的內存條，如果CPU支持最大到2400，但是主板最大只能支持到2133，那么你的2400頻率的內存條也只能在2133頻率下工作，因為主板的的前端總線頻率最高也就這么高。
4，如果你購買的是3200MHZ頻率的內存條，但是主板和CPU都不支持這么高的內存頻率，那么內存條只能按照主板支持的內存頻率走，你會發現內存條的頻率最終是有主板決定的。
5，因此科學的解釋就是：內存本身并不具備晶體振蕩器，因此內存工作時的時鐘信號是由主板芯片組的北橋或直接由主板的時鐘發生器提供的，也就是說內存無法決定自身的工作頻率，其實際工作頻率是由主板來決定的。
6，但是一般情況下主板不會成為內存頻率的瓶頸，而CPU內部的內存控制器一般會成為內存頻率的瓶頸，因此很多時候是因為CPU的因素而限制了內存頻率的發揮，但是并不是內存頻率越高越好，這個時候內存頻率一般和內存控制器的頻率一致，才能發揮內存條的頻率優勢。
