“近日，泛林集團推出了Coronus DX產品，這是業界首個晶圓邊緣沉積解決方案，旨在更好地應對下一代邏輯、3D NAND和先進封裝應用中的關鍵制造挑戰。隨著半導體芯片關鍵尺寸的不斷縮小，其制造變得越來越復雜，在硅晶圓上構建納米級器件需要數百個工藝步驟。僅需一個工藝步驟，Coronus DX 可在晶圓邊緣的兩側沉積一層專有的保護膜，有助于防止在先進半導體制造過程中經常發生的缺陷和損壞。”
Coronus® DX 建立在泛林集團 15 年來在晶圓邊緣解決方案的創新之上
近日，泛林集團 (Nasdaq: LRCX) 推出了Coronus DX產品，這是業界首個晶圓邊緣沉積解決方案，旨在更好地應對下一代邏輯、3D NAND和先進封裝應用中的關鍵制造挑戰。隨著半導體芯片關鍵尺寸的不斷縮小，其制造變得越來越復雜，在硅晶圓上構建納米級器件需要數百個工藝步驟。僅需一個工藝步驟，Coronus DX 可在晶圓邊緣的兩側沉積一層專有的保護膜，有助于防止在先進半導體制造過程中經常發生的缺陷和損壞。這一強大的保護技術提高了良率，并使芯片制造商能夠實施新的前沿工藝來生產下一代芯片。Coronus DX 是Coronus® 產品系列的最新成員，擴大了泛林集團在晶圓邊緣技術領域的領先地位。
泛林集團全球產品事業部高級副總裁 Sesha Varadarajan 表示：“在 3D 芯片制造時代，生產復雜且成本高昂。基于泛林集團在晶圓邊緣創新方面的專長，Coronus DX 有助于實現更可預測的制造并大幅提高良率，為以前不可行的先進邏輯、封裝和 3D NAND生產工藝得以采用鋪平道路。”
沉積在工藝集成過程中增加了關鍵保護
與 Coronus 晶圓邊緣刻蝕技術互補，Coronus DX 使新的器件架構成為現實，這對于芯片制造商來說是顛覆性的。重復疊加的薄膜層會導致殘留物和粗糙度沿著晶圓邊緣積聚，并且它們可能會剝落、漂移到其它區域并產生導致器件失效的缺陷。比如：
• 在 3D 封裝應用中，來自生產線后端的材料可能會遷移，并在之后的工藝中成為污染源。晶圓的塌邊會影響晶圓鍵合的質量。
• 3D NAND 制造中的長時間濕法刻蝕工藝可能會導致邊緣處襯底的嚴重損壞。
當這些缺陷不能被刻蝕掉時，Coronus DX 會在晶圓邊緣沉積一層薄的電介質保護層。這種精確和可調整的沉積有助于解決這些可能影響半導體質量的常見問題。
CEA-Leti 半導體平臺部門負責人 Anne Roule 表示：“CEA-Leti 運用其在創新、可持續技術解決方案方面的專業知識，幫助泛林集團應對先進半導體制造方面的關鍵挑戰。通過簡化 3D 集成，Coronus DX大幅提高良率，使芯片制造商能夠采用突破性的生產工藝。”
專有工藝推動良率提升
Coronus DX 采用了一流的精確晶圓中心定位和工藝控制，包括內置量測模塊，以確保工藝的一致性和可重復性。Coronus 產品逐步提高了晶圓良率，每個刻蝕或沉積步驟提高 0.2% 至 0.5% 的良率，這可以使整個晶圓生產流程的良率提高 5%。每月加工超過 100,000 片晶圓的制造商在一年中可通過 Coronus 提高芯片產量達數百萬 ——價值數百萬美元。
各大芯片制造商都使用了 Coronus
Coronus 產品系列于 2007年首次推出，被各大半導體制造商使用，在全球范圍內安裝了數千個腔體。泛林集團的 Coronus 產品系列是業界首個經過大規模生產驗證的晶圓邊緣技術。其 Coronus 和 Coronus HP 解決方案是刻蝕產品，旨在通過去除邊緣層來防止缺陷。Coronus 解決方案被用于制造邏輯、內存和特色工藝器件，包括領先的 3D 器件。Coronus DX 目前已在全球領先的客戶晶圓廠中用于大批量制造。
Kioxia Corporation 內存工藝技術執行官 Hideshi Miyajima博士表示：“通過晶圓邊緣技術等領域的進步提高生產工藝的質量，對于我們向客戶大規模提供下一代閃存產品至關重要。我們期待繼續與泛林集團及其 Coronus 解決方案合作，以實現領先的晶圓生產。”
媒體資源
訪問泛林集團新聞中心以獲取相關圖片，或者了解有關泛林集團與 CEA-Leti 進行的晶圓邊緣沉積研究的更多信息。
關于泛林集團
泛林集團是全球半導體創新晶圓制造設備和服務的領先供應商。泛林集團的設備和服務助力客戶構建更小、性能更出色的器件。 事實上，當今幾乎每一塊先進芯片的制造都使用了泛林集團的技術。 我們出色的系統工程、技術領先力、以及基于強大的價值觀的企業文化，都與對客戶的堅定承諾緊密結合。 泛林集團是一家 FORTUNE 500®（美國《財富》500 強）公司，總部位于美國加利福尼亞州弗里蒙特，業務遍及世界各地。
