公司這幾天正準備給內存升級下，買些DDR3 1333的內存回來，可是明年就是出DDR4了，真讓人傷不起。。。
我們知道現在DDR3內存逐步發展，已經成為目前主流的選擇，而且現在性能最高也達到了DDR3-2133，明年DDR4內存將會出現，預計數據傳輸率將會從1600起跳，可以達到4266的水平，是DDR3的兩倍。在很多人看來，內存已經很少給電腦性能帶來太大幫助，DDR4內存是否性能過剩，成為末路黃花？目前還不好說，不管怎么樣，技術總是要向前發展的。
今天我們就看到國外媒體有討論DDR4內存的發展。有興趣的朋友可以通過下面的文檔進行了解。
現在Intel平臺內存規格
>DDR內存的發展趨勢
此前JEDEC固態技術協會就正式宣布未來DDR4內存標準的關鍵技術，預計將會在2012年中，DDR4內存將會具備更高的性能，并且功耗方面更低。
DDR4技術特性全面展示
D-DR4針對未來服務器、筆記本、臺式機、消費電子產品進行創新設計，并且具備諸多新的技術特性，首先傳輸率方面，DDR4將會有1.6 GT/s到3.2 GT/s的速度，而目前DDR3是是1.6 GT/s。同時DDR4還包括在DQ bus、更高的2667 Mhz數據傳輸率、Bank群組結構以及集成VrefDQ和增強的訓練模式等等。
DDR4標準的技術規格
Bank群組結構是個8n預取群組結構，它可以使用兩個或者四個Bank組，這允許DDR4內存在每個Bank群組單獨被激活、讀取、寫入或刷新操作，這樣可以帶來更高的內存小了和帶寬。
同時在電壓方面，DDR4也進行了調整，預計它的VDDQ電壓將會在1.2V，未來還會進一步下調。
除此之外還有以下特性將會被采用：
·提供三種數據寬度：x4, x8和x16
·新的JEDEC POD12接口標準（工作電壓1.2V）
·DifferentialSignaling( 差分信號技術）
·新的終止調度：在DDR4中DQ bus可以轉移終止到VDDQ，這樣可以即時VDD電壓降低的情況下也能保證穩定
·正常和動態的ODT：改進ODT協議，并且采用新的Park Mode模式可以允許正常終結和動態吸入終結，而不需要去驅動ODT Pin。
·突發長度和突發停止長度分別為8和4
· 數據遮掩
·DBI：可以降低功耗并且提升數據信號完整性
·新的數據總線CRC技術，可以進行傳輸過程中的錯誤偵測，特別對非ECC內存進行寫入操作時有幫助。
·針對命令和地址總線的新的CA奇偶校驗
·DLL關閉模式支持
為進一步推廣和采用DDR4標準，JEDEC打算在公布標準以后，舉辦DDR4 Technical Workshop會議，更多信息將會在以后正式公布。
DDR4和DDR3內存結構對比
DDR4內存預計將在2012年發布，2015年取代DDR3
內存速度發展方向
DDR4內存功耗控制更合理
DDR4雖然性能提升了，不過在功耗方面，依然控制的比較理想，這給以后的筆記本等方案可以帶來更長的電池續航時間。
DDR3、DDR4內存功耗對比DDR內存數據
DDR4通過相應技術降低待機和工作電流提供更長的電池續航時間
展望DDR4內存發展契機
那么回到最初的話題，DDR4能夠給我們帶來真正的好處和實惠呢？
主流DRAM發展藍圖
很明顯，未來AMD“Graphics Core Next”GPU將具備X86內存尋址特性，換句話說就是可以和CPU一樣調用系統內存，CPU通過MMU內存控制器訪問內存，而GPU則是通過 IOMMU實現內存調用。這種新技術允許系統設備在虛擬內存中進行尋址，也就是將虛擬內存地址映射為物理內存地址，讓實體設備可以在虛擬的內存環境中工作，這樣可以幫助系統擴充內存容量，提升性能。所以未來將會受益于DDR4內存的高帶寬特性。
同時AMD下一代GPU還具備64bit x86指針、Page fault、地址轉換緩存、分配內存的功能，操作系統將會同時為CPU、GPU內存調用全面服務。這樣高速內存就顯得尤為重要了，否則就會給系統性能帶來很大瓶頸。
總的來看，DDR4內存還是有它未來發展空間的，它的發展有賴于處理器、顯卡新技術的出現，否則目前DDR3內存已經足夠使用。
