【ITBEAR科技資訊】7月28日消息，隨著半導體工藝不斷深入，制造難度和成本逐漸攀升，摩爾定律面臨著物理極限的考驗，預計最終將在大約1納米左右失效，由于量子隧穿難題的出現。然而，各大廠商在紙面上的1納米工藝仍將成為可能，臺積電去年已經著手研發1.4納米工藝，并計劃向更先進的節點邁進。
據ITBEAR科技資訊了解，1.4納米工藝被視為通往1納米工藝的橋梁，這也是半導體行業急于追求的目標。根據IMEC歐洲微電子中心的路線圖顯示，2納米工藝之后將是1.4納米工藝，預計在2026年問世，而隨后將推出A10工藝，即1納米工藝，預計在2028年面世。不過，新技術的推出往往存在不確定性，實際量產時間可能比2028年還要晚一些。
值得一提的是，在邁向2納米及更先進工藝的過程中，EUV(極紫外)光刻技術也將迎來一次重大升級。ASML公司計劃在2026年推出High NA技術的下一代EUV光刻機EXE:5000系列，將光刻分辨率從目前的0.33提升至0.55，以進一步推動制程的發展。
然而，這一代EUV光刻機的代價也相當昂貴，售價預計將從目前的1.5億美元飆升至4億美元以上，甚至可能繼續上漲。對制造商而言，如何控制成本將成為一項嚴峻的考驗。
盡管半導體制造面臨著巨大的挑戰，但科技公司和制造商仍不斷努力突破技術的限制，以滿足市場對更高性能、更節能半導體產品的需求。面對未來的不確定性，技術的進步和創新將是推動行業持續發展的關鍵。
