【ITBEAR科技資訊】7月27日消息,美光公司日前宣布將成為首家推出24Gb DDR5內存芯片的企業。據悉,該公司計劃在2024年開始量產32Gb DDR5芯片,并推出更大容量的內存模塊。
去年,美光成功研發出24Gb內存芯片,采用了1α(1-alpha)工藝技術。而在接下來的32Gb DDR5芯片制造中,美光將應用其最先進的1β(1-beta)工藝節點,以提高生產效率和質量。目前,美光尚未透露32Gb芯片的數據傳輸速率,但預計將在數據中心級內存模塊中得到應用。
據ITBEAR科技資訊了解,32Gb DDR5 DRAM IC主要面向數據中心級內存模塊,為1TB DDR5模塊(采用32個8-Hi 32Gb堆疊)提供支持。不過,美光公司并未急于將32Gb芯片直接應用于最大容量的模塊上,而是計劃在明年推出基于該芯片的128GB DDR5內存模塊。未來,他們還計劃推出更大容量的192GB和256GB DDR5模塊,以滿足不同用戶需求。
除了DDR5內存,美光還在其路線圖中提及了GDDR7顯存芯片的計劃。預計在2024年中期,GDDR7顯存芯片將實現批量生產,擁有32 GT/s的高數據傳輸速率,顆粒容量可選16Gb和24Gb,將為圖形處理等領域的性能提升提供支持。
此外,美光還向客戶提供了HBM3 Gen 2內存樣品。這種內存擁有高達1.2 TB/s的聚合帶寬,同時8個高堆疊容量達到24GB,將在高性能計算和圖形處理等領域發揮重要作用。