【ITBEAR科技資訊】7月18日消息，根據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Hi Investment & Securities的最新報(bào)告，三星Foundry在3納米工藝方面取得了良好的進(jìn)展，良率達(dá)到了60%，超過(guò)了臺(tái)積電的55%。
報(bào)道指出，三星Foundry積極發(fā)展3納米工藝，不斷提升生產(chǎn)工藝水平和提高良率，目前已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了60%的良率，預(yù)計(jì)在超先進(jìn)芯片制造技術(shù)上能夠超過(guò)臺(tái)積電。
根據(jù)ITBEAR科技資訊了解，報(bào)告還指出三星Foundry在4納米工藝方面的良率為75%，略低于臺(tái)積電的80%，但通過(guò)在3納米工藝上的發(fā)力，有望在未來(lái)超越臺(tái)積電。
報(bào)道還提到，由于臺(tái)積電的大部分訂單都被蘋(píng)果預(yù)訂，一些公司如英偉達(dá)和高通對(duì)三星Foundry的第二代3納米(SF3)工藝表現(xiàn)出了興趣。
此前，三星Foundry在SFF 2023上公布了最新的工藝技術(shù)路線圖，計(jì)劃在2025年推出2納米級(jí)的SF2工藝，并于2027年推出1.4納米級(jí)的SF1.4工藝。此外，該公司還公布了SF2工藝的一些特性。
根據(jù)Hi Investment & Securities的報(bào)告，三星Foundry在3納米工藝上取得的良率突破顯示了其在先進(jìn)芯片制造領(lǐng)域的實(shí)力和競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。隨著不斷的技術(shù)創(chuàng)新和工藝改進(jìn)，三星Foundry有望在未來(lái)獲得更多的市場(chǎng)份額并與臺(tái)積電展開(kāi)激烈的競(jìng)爭(zhēng)。
