【ITBEAR科技資訊】8月18日消息，據最新消息報道，三星電子計劃在明年推出其第9代V-NAND閃存產品，這款新產品將采用超過300層的雙層堆棧架構，為存儲技術領域帶來了新的突破。
這項計劃將使三星在技術進步方面超越了其競爭對手SK海力士。據悉，SK海力士計劃在2025年上半年開始量產三層堆棧架構的321層NAND閃存。不過，早在2020年，三星就已經引入了雙層堆棧架構，首次生產出了第7代V-NAND閃存芯片。
這次的創新舉措預計將極大地提升存儲密度，從而有助于降低固態硬盤的制造成本，為消費者帶來更具性價比的存儲解決方案。三星的雙層堆棧架構技術是在現有的3D NAND堆棧基礎上構建新的堆棧，這種方法在提高產量的同時也能夠更高效地利用資源。
據ITBEAR科技資訊了解，與競爭對手不同，SK海力士的三層堆棧架構則是在一個3D NAND層上創建三組不同的層，這雖然可以提高產量，但會增加生產步驟和原材料的用量。
有業內人士向《首爾經濟日報》透露，三星在推出第9代3D NAND后，有望在第10代產品中采用三層堆棧架構，預計將達到430層。這種技術選擇不僅能夠確保更高的產量，還可以應對超過400層時可能出現的原材料和成本壓力。
在2022年的“2022三星科技日”上，三星提出了雄心勃勃的長期目標，計劃在2030年將3D NAND的層數推升至1000層。這一目標顯示了三星對于未來存儲技術發展的執著追求。
