近年來，隨著數(shù)字化產(chǎn)業(yè)集群的加速成長，集成電路、5G等創(chuàng)新密度高、市場潛力大的產(chǎn)業(yè)，已成為推動我國數(shù)字經(jīng)濟持續(xù)快速發(fā)展的主要動能。西安紫光國芯半導(dǎo)體股份有限公司（簡稱“西安紫光國芯”）作為一家集產(chǎn)品研發(fā)、規(guī)模量產(chǎn)和全球銷售為一體的綜合性集成電路設(shè)計企業(yè)，依托其領(lǐng)先的技術(shù)優(yōu)勢和深厚的產(chǎn)業(yè)應(yīng)用積淀，多年來持續(xù)聚焦存儲關(guān)鍵核心技術(shù)攻關(guān)，強化推出具有核心競爭力的產(chǎn)品和服務(wù)，深度參與數(shù)字產(chǎn)業(yè)建設(shè)，以存儲技術(shù)創(chuàng)新為驅(qū)動，有力賦能數(shù)字經(jīng)濟行業(yè)高質(zhì)量發(fā)展。
作為以科技創(chuàng)新為驅(qū)動的企業(yè)，西安紫光國芯業(yè)務(wù)涵蓋標準存儲芯片，模組和系統(tǒng)產(chǎn)品，嵌入式DRAM和存儲控制芯片，以及專用集成電路設(shè)計開發(fā)服務(wù)。
憑借領(lǐng)先的科技研發(fā)能力、豐富的設(shè)計測試量產(chǎn)經(jīng)驗、完善的產(chǎn)品開發(fā)流程和嚴謹?shù)馁|(zhì)量管理體系，西安紫光國芯研發(fā)的DRAM存儲系列產(chǎn)品實現(xiàn)了包括DRAM KGD、DRAM顆粒、模組產(chǎn)品的全系列、全種類覆蓋，填補了國內(nèi)存儲器領(lǐng)域多項高端產(chǎn)品的空白。
西安紫光國芯歷時七年成功開發(fā)出的嵌入式DRAM（SeDRAM®）技術(shù)和平臺，可滿足高性能計算、人工智能、大數(shù)據(jù)分析、智能物聯(lián)網(wǎng)等應(yīng)用場景的廣泛需，是集成電路行業(yè)創(chuàng)新發(fā)展的閃光點。該技術(shù)將DRAM晶圓和不同工藝的邏輯晶圓在垂直方向上進行納米級互連，創(chuàng)造性地突破了傳統(tǒng)馮·諾依曼架構(gòu)中的存儲性能瓶頸，實現(xiàn)嵌入式存儲器的直接訪問，提供了業(yè)界領(lǐng)先的超大帶寬、超低功耗和超大容量的嵌入式DRAM解決方案。
SeDRAM®通過采用相對成熟的工藝，可以實現(xiàn)更高階制程才能獲得的芯片性能，對我國目前的集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展具有重大意義。多款搭載該技術(shù)的高性能SoC芯片產(chǎn)品已實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)和市場銷售，并且取得了學(xué)術(shù)界的廣泛關(guān)注和積極的市場反映。
西安紫光國芯的多款具有高可靠、大容量、高速率內(nèi)存模組產(chǎn)品，已廣泛應(yīng)用于服務(wù)器、計算機、數(shù)據(jù)中心和工業(yè)控制等領(lǐng)域。其中，DDR4 RDIMM容量支持16GB-64GB，速率3200MT/s，適配主流CPU平臺，已累計超過百萬條規(guī)模出貨。DDR5 RDIMM容量支持16GB-64GB，速率4800MT/s，已在多家頭部客戶完成導(dǎo)入。
