【ITBEAR科技資訊】9月3日消息，三星電子近日宣布成功研發出全球首款32Gb(4GB)DDR5內存芯片，為業界帶來了一次重大突破。這款內存芯片的問世將為計算機技術和數據存儲領域帶來新的可能性。據悉，該內存芯片采用了高度先進的12納米制造工藝，較之于三星1983年發布的4Kb容量內存產品，其容量已經實現了超過50萬倍的躍升。
在不久前的5月份，三星剛剛開始量產16Gb(2GB)容量的DDR5內存芯片，其傳輸頻率高達7200MT/s，為數據傳輸速度提供了強有力的支持。而這次發布的32Gb DDR5內存芯片繼續延續了高效的12納米制造工藝，同時在容量上實現了進一步的突破。然而，三星并沒有披露新內存芯片的具體傳輸頻率，這或許是為了保留一定的技術競爭優勢。
這款32Gb DDR5內存芯片的一大特點是其高密度設計，為打造更大內存容量奠定了堅實基礎。利用這一技術突破，只需8顆這種芯片，就可以構建出一條32GB的內存條。更為引人矚目的是，通過采用8-Hi 3DS堆疊技術，可以將8顆32Gb芯片整合在一起，再在一條內存上安裝32顆，從而實現驚人的1TB內存容量。這對于數據中心、科學計算等大內存需求場景來說，將是一項重要的技術突破。
據ITBEAR科技資訊了解，三星計劃在年底開始量產這款32Gb DDR5內存芯片，這將進一步推動DDR5內存技術在市場中的應用和發展。此舉不僅有助于提升計算機系統的性能，也為應對不斷增長的數據處理需求提供了有力支持。未來，在支持12通道內存的服務器平臺上，如AMD EPYC 9004，將有可能實現高達12TB的單路系統內存容量，這將為數據處理和應用開發帶來更加廣闊的前景。
