【ITBEAR科技資訊】9月1日消息，三星電子在今日宣布取得重大突破，成功開發出基于12納米(nm)級工藝技術的32Gb DDR5 DRAM內存模組，為未來的數據處理和存儲領域注入了新的活力。這項突破性技術將有望滿足不斷增長的人工智能和大數據應用對高容量DRAM內存的需求。
這款新型32Gb DDR5 DRAM內存模組的問世，不僅意味著容量的大幅提升，還體現在更為高效的能源利用上。通過新開發的32Gb內存顆粒，即使在不使用硅通孔(TSV)工藝的情況下，也能夠生產出128GB內存模組。與過去基于16Gb內存顆粒的128GB內存模組相比，新產品的功耗降低了約10%。這一技術進步使得新內存模組成為數據中心等高度關注能效的企業的首選解決方案。
據ITBEAR科技資訊了解，三星電子存儲器事業部內存開發組執行副總裁SangJoon Hwang表示，基于12納米級32Gb DDR5 DRAM內存模組的基礎，三星還將繼續拓展其大容量內存產品陣容，以滿足高性能計算和IT行業不斷增長的需求。三星將以這一技術為基石，為數據中心、人工智能和下一代計算等領域的客戶提供更為強大的12納米級32Gb內存解決方案，進一步鞏固其在未來內存市場的領先地位。
這款創新的12納米級32Gb DDR5 DRAM內存模組預計將在今年年底開始量產，為行業帶來更大的潛力和發展機會。三星電子將繼續與其他核心行業伙伴保持緊密合作，共同推動技術創新的發展，為數字化時代的需求提供有力支持。
