【ITBEAR科技資訊】8月21日消息，今日據可靠消息稱，韓國半導體制造商SK海力士宣布取得重大突破，成功研發出面向人工智能領域的高性能DRAM新產品HBM3E。該產品將為AI應用提供強大的數據處理能力，有望在未來的計算領域掀起一股新的浪潮。
HBM技術(High Bandwidth Memory)作為一種垂直連接多個DRAM芯片以提高數據處理速度的創新技術，已經不再陌生。而此次的HBM3E則是在前代產品HBM3的基礎上進行了擴展和優化。據悉，HBM3E在速度方面展現出驚人的表現，每秒最高可處理1.15TB的數據，相當于僅需1秒即可完成230部全高清級電影的數據處理。
SK海力士表示，HBM3E的研發基于其豐富的HBM制造經驗，以及在量產方面的成熟度。公司計劃從明年上半年開始投入HBM3E的量產，這將進一步鞏固其在面向人工智能領域存儲器市場中的領先地位。
值得一提的是，HBM3E不僅在數據處理速度上有所突破，還在散熱性能方面進行了創新。SK海力士的技術團隊采用了先進的MR-MUF技術，使散熱性能相較上一代產品提高了10%。這項技術創新有助于確保芯片在高強度計算時的穩定運行。
據ITBEAR科技資訊了解，HBM3E產品還具備向后兼容性，這意味著在基于HBM3構建的系統中，無需進行額外的設計或結構修改，即可直接應用新產品，為客戶帶來更高的便利和靈活性。
在產業合作方面，全球知名半導體公司英偉達也對HBM3E的問世表示高度關注。英偉達Hyperscale和HPC部門副總裁伊恩?巴克表示，英偉達與SK海力士在HBM領域的合作歷史悠久。他期待雙方在HBM3E領域繼續保持緊密的合作，共同推動新一代AI計算解決方案的發展。
