【ITBEAR科技資訊】8月21日消息，近日，NAND閃存技術再次取得重大突破，開啟了存儲領域的新篇章。據業內消息透露，全球主要存儲制造商正競相推出超高層數的閃存產品，引發了業界對存儲密度和性能的新期待。
SK海力士近期宣布推出了一款令人矚目的300+層閃存，標志著NAND閃存技術在堆疊層數方面的巨大進步。該款閃存擁有驚人的321層，采用TLC技術，單個Die的容量高達1Tb(128GB)，然而，這款產品將于2025年才能量產。
三星也不甘示弱，據韓國媒體透露，他們計劃在2024年推出自己的300+層閃存產品，力爭領先一步。雖然目前三星的閃存細節尚未公開，但可以確定的是，該產品依然采用雙重堆疊技術，并在細節方面進行了一系列創新。
值得一提的是，除了層數的提升，閃存容量也在不斷刷新紀錄。三星最近公布了一款高達256TB的企業級SSD，采用QLC技術，以滿足企業級市場對大容量存儲的需求。此外，他們還在積極研發PB級的SSD，預計超過1000TB的存儲容量將在不久的將來成為現實。
據ITBEAR科技資訊了解，NAND閃存技術的持續創新將為數據存儲和處理領域帶來重大影響。隨著技術的不斷發展，存儲設備將擁有更大的容量和更快的速度，為各種應用場景提供更強大的支持。
