【ITBEAR科技資訊】09月13日消息，臺積電日前宣布了兩項重大投資計劃，旨在提高公司的垂直整合能力，以確保平穩過渡到2納米的GAA技術。這些戰略舉措將有助于臺積電進一步鞏固其在半導體制造業的領先地位，同時加強與全球領先技術公司的合作。
首先，臺積電計劃投資ARM公司，這一決策背后的原因之一可能是英特爾的計劃。英特爾計劃采用18A制程(相當于臺積電的2納米制程)來生產ARM架構芯片，這對于臺積電來說是一個巨大的機遇。通過投資ARM，并與其加強合作，包括在設計-技術協同優化(DTCO)和系統-技術協同優化(STCO)等領域展開更密切的合作，臺積電可以更好地為ARM IP提供優化的制程和封裝技術支持。
另一方面，臺積電還計劃對IMS Nanofabrication業務進行投資，以確保滿足2納米技術商用化的需求。這一舉措將有助于臺積電確保獲取關鍵設備的技術開發和供應，以支持其2納米技術的順利推進。IMS Nanofabrication的技術和資源將為臺積電提供更多的制程工具和技術支持，有助于提高其生產效率和產品質量。
據ITBEAR科技資訊了解，這些投資計劃是臺積電為了適應競爭激烈的半導體市場而采取的重要措施。通過加強與ARM、英特爾、Apple和Nvidia等關鍵合作伙伴的合作，臺積電將進一步鞏固其在半導體制造業的領先地位，并確保在未來技術領域保持競爭力。這將有助于推動半導體產業的進步，滿足不斷增長的全球客戶需求。
