SK 海力士剛剛公布了下一代高帶寬內(nèi)存（HBM3）的技術(shù)規(guī)格，可知其在提升傳輸速率和增大容量的同時(shí)，還引入了散熱方面的最新改進(jìn)。具體說(shuō)來(lái)是，該公司的 HBM3 產(chǎn)品將提供高達(dá) 665 Gbps 的帶寬、翻倍的容量、以及下一代散熱解決方案。在官方產(chǎn)品頁(yè)上，SK 海力士還分享了一張對(duì)比圖表，以直觀地展示從 HBM2E 到 HBM3 的變化。這家 DRAM 制造商表示，HBM3 有望實(shí)現(xiàn) 5.2 Gbps 的 I/O 速率，較現(xiàn)有的 HBM2E 提升 44%，從而大幅提升整體的內(nèi)存帶寬。
憑借更快的 HBM 解決方案，SK 海力士致力于引領(lǐng)高帶寬顯存市場(chǎng)。而該公司正在開(kāi)發(fā)的 HBM3，還能夠以 5.2 Gbps 的 I/O 速率，達(dá)成超過(guò) 665 GB/s 的帶寬。
HMB2E 的帶寬僅能達(dá)到 460 Gbps（來(lái)自：SK Hynix 官網(wǎng)）
與現(xiàn)有的 DRAM 相比，新一代產(chǎn)品將迎來(lái) 44% 的性能提升。與此同時(shí)，SK 海力士將進(jìn)一步完善在 HBM2E 上首次引入的相關(guān)創(chuàng)新，比如為 HBM3 上配備增強(qiáng)版的散熱解決方案。
具體說(shuō)來(lái)是，它能夠在溫度減少 14 ℃ 的情況下，為 HBM2E 帶來(lái) 36% 的散熱效果改善。所以在 HBM3 上，我們期待著它能夠帶來(lái)更大的驚喜。
英偉達(dá) GA100 Ampere 計(jì)算卡
容量方面，我們預(yù)計(jì)初代 HBM3 會(huì)與 HBM2E 持平。后者基于 16Gb DRAM 芯片，由 8-hi 堆棧達(dá)成總計(jì) 16GB 容量。不過(guò)隨著 JEDEC 敲定最終規(guī)范，我們預(yù)期 HBM3 的存儲(chǔ)密度會(huì)進(jìn)一步增加。
如果進(jìn)展順利，我們或于明年晚些時(shí)候，見(jiàn)到搭載 HBM3 高帶寬顯存的下一代 CNDA 架構(gòu)的 AMD Instinct 加速卡、英偉達(dá)的 Hopper GPU、以及英特爾 Xe-HPC 架構(gòu)的高性能計(jì)算加速器等產(chǎn)品。
