【ITBEAR科技資訊】9月28日消息，隨著科技行業的不斷進步，高性能內存的競爭也在加劇。最新的消息顯示，美光科技(Micron Technology)正式推出了新款HBM3E內存，這將與SK海力士的HBM3E內存展開競爭。這兩家公司都致力于提供高帶寬內存解決方案，以滿足高性能計算和圖形處理的需求。
美光的HBM3E內存號稱可以實現每秒1.2 TB的傳輸速度，這與SK海力士的產品相當。HBM(High Bandwidth Memory)內存的垂直連接技術已經在數據處理領域展現出了巨大的潛力，這一技術的應用可以顯著提高數據傳輸速度，對于需要大規模數據處理的應用非常重要。
美光的HBM3E內存采用了eight-tier布局，每個堆棧的容量達到了24 GB。與此同時，它采用了先進的1β技術，這意味著制造工藝更加先進，有望提供更高的性能和效率。這一產品已經開始向英偉達等客戶交付樣品，明年有望迎來訂單入賬。
此外，美光還強調了其HBM3E內存的競爭優勢之一，即成本更低。這將為制造商和最終用戶帶來更多選擇，降低了產品的制造成本，或者有望降低最終產品的價格。
隨著美光的HBM3E內存的商業出貨計劃即將啟動，他們目前正在積極尋求產品認證，以滿足合作伙伴如英偉達的需求。這一競爭勢必會激發內存市場的創新和進步，也將為消費者帶來更多高性能內存的選擇。
據ITBEAR科技資訊了解，HBM3E內存作為HBM內存的第五代擴展版本，代表著內存技術的最新進展，將為各種領域的高性能應用提供更強大的支持。未來，我們可以期待看到這兩款內存產品在市場上的競爭將會更加激烈，為科技行業帶來更多的創新和進步。
