據(jù)科技日?qǐng)?bào)3月24日?qǐng)?bào)道，美國(guó)明尼蘇達(dá)雙城大學(xué)研究人員和國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)與技術(shù)研究院(NIST)的聯(lián)合團(tuán)隊(duì)開(kāi)發(fā)了一種制造自旋電子器件的突破性工藝，該工藝有可能成為半導(dǎo)體芯片新的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。研究論文發(fā)表在最近的《先進(jìn)功能材料》上。
自旋電子學(xué)對(duì)于構(gòu)建具有新功能的微電子設(shè)備來(lái)說(shuō)非常重要。自旋電子設(shè)備利用電子的自旋而不是電荷來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，為傳統(tǒng)的基于晶體管的芯片提供了一種有前途且更有效的替代方案。這些材料還具有非易失性的潛力，這意味著它們需要更少的能量，并且即使在移除電源后也可存儲(chǔ)內(nèi)存和執(zhí)行計(jì)算。
明尼蘇達(dá)大學(xué)研究人員通過(guò)使用鐵鈀材料替代鈷鐵硼，可將材料縮小到5納米的尺寸，從而克服了這一難題。而且，研究人員首次能夠使用支持8英寸晶圓的多室超高真空濺射系統(tǒng)在硅晶圓上生長(zhǎng)鐵鈀。
該論文的第一作者、明尼蘇達(dá)大學(xué)電氣與計(jì)算機(jī)工程系的博士生Deyuan Lyu說(shuō):“這項(xiàng)工作在世界上首次表明，可以在半導(dǎo)體行業(yè)兼容的基板上生長(zhǎng)這種材料，它可以縮小到小于5納米，所謂的CMOS+X策略。”
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