三星在今年6月末宣布，其位于韓國的華城工廠開始生產3nm芯片，采用全新GAA（Gate-All-Around）架構晶體管技術。三星表示，與原來采用FinFET的5nm工藝相比，初代3nm GAA制程節點在功耗、性能和面積（PPA）方面有不同程度的改進，其面積減少了16%、性能提高23%、功耗降低45%。到了第二代3nm芯片，面積減少了35%、性能提高30%、功耗降低50%。
雖然三星看似在3nm制程節點上先行一步，但實際生產上并非一帆風順。據ctee報道，與之前的4/5nm工藝一樣，三星在3nm GAA工藝生產上同樣遇到了挫折，良品率僅為20%。正是由于三星在4/5nm工藝上糟糕的良品率，才迫使高通這樣的大客戶將旗艦SoC訂單轉投到臺積電（TSMC）。
為了克服生產上遇到的重重障礙，傳言三星選擇與美國的Silicon Frontline Technology合作，以提高3nm GAA工藝的良品率。至于為什么會選擇這家公司，據稱是其通過ESD靜電及相關技術，以提高晶圓的良品率，似乎是個理想的合作伙伴。
至于是否有實際收益，還要留意未來幾個月三星的晶圓代工情況，看看是否有客戶愿意下訂單采用三星的先進工藝。有消息指出，如果三星的計劃取得成效，高通可能會重新選擇三星，在一些SoC上采用雙代工廠的做法，以便更好地控制產能和成本。
【來源：超能網】
