【ITBEAR科技資訊】10月10日消息，盡管全球經(jīng)濟(jì)下行和高通脹等多重因素對(duì)閃存市場(chǎng)造成了挑戰(zhàn)，但美光和三星等DRAM行業(yè)巨頭依然積極備戰(zhàn)1γ DRAM技術(shù)。
目前，全球最先進(jìn)的DRAM工藝已經(jīng)發(fā)展到第五代，美光將其稱為1β DRAM，而三星則將其稱為1b DRAM。去年10月，美光開(kāi)始量產(chǎn)1β DRAM，但他們的研發(fā)目標(biāo)是在2025年實(shí)現(xiàn)1γ DRAM的量產(chǎn)，這將意味著美光首次涉足極紫外(EUV)光刻技術(shù)領(lǐng)域。
與此同時(shí)，三星計(jì)劃在2023年邁入1b DRAM工藝階段，提高芯片容量從24Gb(3GB)到32Gb(4GB)，原生速度從6.4Gbps提升至7.2Gbps。
在NAND閃存領(lǐng)域，技術(shù)已經(jīng)突破了200層堆疊的顯著里程碑，存儲(chǔ)制造商們不斷追求更高的層數(shù)。SK海力士在今年8月9日的2023閃存峰會(huì)上展示了全球首款321層NAND閃存樣品。與之前的238層512Gb NAND相比，這一創(chuàng)新提高了59%的效率。SK海力士計(jì)劃進(jìn)一步完善321層NAND閃存，并計(jì)劃于2025年上半年開(kāi)始量產(chǎn)。
此外，美光還計(jì)劃推出超越232層的產(chǎn)品，包括2YY、3XX和4XX等。Kioxia和西部數(shù)據(jù)也在積極探索300層、400層和500層以上的3D NAND技術(shù)。
此前有報(bào)道稱，三星計(jì)劃在2024年推出第九代3D NAND，預(yù)計(jì)將達(dá)到280層，隨后在2025-2026年推出第十代，可能將層數(shù)提高至430層。他們的最終目標(biāo)是在2030年實(shí)現(xiàn)1000層NAND閃存的生產(chǎn)。
