【ITBEAR科技資訊】10月13日消息，據DigiTimes最新報道，三星正全力推進2納米制程技術，旨在在半導體領域對臺積電發起挑戰。
三星半導體和設備解決方案(DS)部門的負責人Kye Hyun Kyung曾公開表示，他們計劃在未來五年內超越臺積電以及其他業內巨頭。
據韓國新聞媒體Money Today援引的內部消息稱，三星的半導體代工部門正在緊鑼密鼓地推進2納米生產計劃，他們正在整合自身的優勢資源，以加速2納米技術的研發。有一些業內人士甚至猜測，三星有可能跳過3納米制程，直接邁向2納米的制造工藝。
在今年6月的一份報告中，三星正式公布了最新的工藝技術路線圖，計劃在2025年推出2納米級別的SF2工藝，而在2027年推出1.4納米級別的SF1.4工藝。與此同時，公司還公布了SF2工藝的一些特性。
SF2工藝是在今年早些時候推出的第三代3納米級(SF3)工藝的基礎上進行了進一步的優化。相較于SF3工藝，SF2工藝在相同的頻率和復雜度下能夠提高25%的功耗效率，提高12%的性能，同時在相同的功耗和復雜度下減少了5%的芯片面積。
為了增加SF2工藝的競爭力，三星還計劃為該工藝提供一系列先進的IP組合，其中包括LPDDR5x、HBM3P、PCIe Gen6和112G SerDes等技術。這些舉措顯示出三星在追求半導體技術的領先地位方面的堅定決心。
