【ITBEAR科技資訊】10月19日消息，根據韓媒ETNews的最新報道，三星電子內部迅速成立了全新的碳化硅(SiC)功率半導體團隊，此次任命安森美半導體的前董事洪錫俊(Stephen Hong)擔任副總裁，負責領導并監管相關業務。
洪錫俊是功率半導體領域的專家，他在英飛凌、仙童和安森美等全球大型公司擁有將近25年的經驗。加入三星后，他將負責組建和領導這支SiC商業化團隊，同時積極尋求與韓國功率半導體產業生態系統和學術機構的合作，以進行市場和商業可行性研究。在正式進軍氮化鎵(GaN)業務之前，三星也提前組建了相關業務團隊。
與此同時，三星電子已經啟動了全面的GaN功率半導體業務籌備工作。該公司決定購買Aixtron最新的金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)設備，專門用于GaNa SiC晶圓的加工，這顯示出三星對此業務的堅定承諾，這一投資計劃的金額預計至少達到7000億韓元。
盡管三星的第三代半導體代工業務預計將于2025年啟動，但目前仍處于研究和樣品階段，因此需要大量投資設備以支持未來的量產工作。
據市場研究機構TrendForce的分析，預計2023年全球SiC功率器件市場規模將達到228億美元(約合1669億元人民幣)，同比增長41.4%。預計到2026年，這一市場規模將擴大至533億美元(約合39016億元人民幣)。
不僅如此，TrendForce的最新研究還指出，到2024年，三星8英寸晶圓制造工廠的利用率可能會下降至50%。這一下降主要是由于全球半導體需求減少，再加上地緣政治因素，嚴峻的商業環境對三星的訂單量產生了不小的影響。
鑒于SiC和GaN功率半導體的需求持續增加，以及三星的硅晶圓業務面臨一系列挑戰，該公司計劃與DB Hitek和Key Foundry等競爭對手一起，準備在2025年至2026年之間推出8英寸GaN代工服務，以進一步鞏固其在半導體領域的地位。
