【ITBEAR科技資訊】10月21日消息，三星公司在今天的儲存技術日活動上隆重亮相，發布了一系列新品，其中包括了下一代HBM3E DRAM，被命名為“Shinebolt”，旨在滿足下一代AI數據中心的應用需求。
據ITBEAR科技資訊了解，三星公司表示，“Shinebolt” HBM3E DRAM的每個引腳速度高達9.8Gbps，這將帶來驚人的1.2 TBps傳輸速率，這一突破性的技術將有望降低數據中心的總擁有成本(TCO)，并顯著提高AI模型的訓練和推理任務效率。
為了實現更多的層數堆疊以及改善散熱效能，三星公司還對非導電薄膜(NCF)技術進行了優化，這將減少芯片層之間的間隙，并最大限度地提高導熱性能。
除了“Shinebolt”，三星公司還在現場宣布，其8H和12H HBM3產品目前正在大規模生產中，而“Shinebolt”的樣品也已經開始向客戶發貨。作為半導體領域的綜合解決方案提供商，三星計劃為客戶提供定制的一站式服務，將下一代HBM、先進封裝技術和代工產品有機結合。
此次活動中，三星公司還亮相了其他多款新品，其中包括具有業界最高容量的32Gb DDR5 DRAM，以及業界首款32Gbps GDDR7。此外，他們還介紹了PB級PBSSD，該產品顯著提升了服務器應用程序的存儲能力，為數據中心提供更強大的支持。
