11月2日訊 存儲巨頭再一次加大漲價力度。
據臺灣經濟日報援引半導體業內多位消息人士消息稱，三星本季度將NAND Flash芯片報價調漲10%至20%之后，已決定明年一季度與二季度逐季調漲報價20%，此舉遠超業界預期。
值得注意的是，信達證券此前援引行業消息稱，近日三星向客戶公布Q4官價，MobileDRAM合約價環比漲幅預估將擴大至11%-25%；NAND Flash方面，UFS4.0漲幅約2%左右，eMCP、uMCP漲幅不等，平均漲幅20%以上，最高漲幅高達66%。
為何三星有底氣強勢漲價？減產或許是原因之一。在10月31日的財報會議上，三星執行副總裁Kim Jae-joon直言，“三星接下來的減產行動，將比目前DRAM縮減產出的規模更大。”
業內人士指出，目前NAND芯片市場轉趨熱絡，客戶陸續回籠。三星作為全球存儲芯片龍頭，其領頭調漲價格，將有助整體市場報價正向發展。
與此同時，多家存儲廠商也已給出頗為樂觀的預期。
例如群聯指出，過去6-9個月OEM客戶調整庫存已近尾聲，公司已獲得更多設計導入（design-in）的訂單。
存儲模組廠威剛則表示，隨著大廠大幅減產效益浮現，看好存儲價格從今年四季度到明年上半年一路上漲，明年起更會進入為期二年的存儲多頭格局，未來二年市場供給將吃緊并出現缺貨狀況。
TrendForce此前指出，NAND芯片價格自8月起漲，看好在供應商議價態度轉趨強硬情況下，四季度企業級固態硬盤合約價格可望上漲約5%-10%；用戶端固態硬盤方面，隨著供應商議價能力提高，高低階用戶端固態硬盤產品可望同步上漲，預計四季度合約價將揚升8%至13%。
此外，其認為存儲器整體漲勢有望延續，預計明年一季度Mobile DRAM及NAND Flash（eMMC、UFS）合約價仍將續漲，漲幅則視后續原廠是否維持保守的投產策略，以及終端是否有實質買氣支撐而定。
隨著主要廠商控產持續進行，以及原廠、終端與渠道庫存去化，疊加終端市場需求復蘇，國金證券11月1日報告指出，存儲芯片有望在今年四季度開始價格反彈，開啟新一輪上漲周期。而作為存儲芯片的生產者，以及存儲市場最為重要的環節，存儲芯片廠商有望最為受益。
【來源：財聯社】
