【ITBEAR科技資訊】12月27日消息，佳能在今年的10月向世界宣布了其最新技術突破，FPA-1200NZ2C納米壓印光刻(NIL)設備。這項技術標志著半導體制造領域的一個重要轉折點，為行業內的小型制造商提供了制造高級芯片的新途徑。
在一個近期的聲明中，佳能社長御手洗富士夫強調了納米壓印光刻技術的重要性，他指出這項技術將為那些追求制造先進芯片的小型半導體公司開辟全新的可能性。佳能的技術專家巖本和德也分享了這項技術的具體工作原理：通過將帶有電路圖案的掩模直接壓印到晶圓上，能夠一次性在正確的位置形成復雜的二維或三維電路圖案。這種方法的一個顯著優勢是，通過不斷地改進掩模設計，理論上甚至可以生產出2納米級別的芯片。
據ITBEAR科技資訊了解，佳能的納米壓印光刻技術已經能夠生產至少5納米工藝尺寸的芯片。在目前這一領域由ASML主導的背景下，佳能的這一突破意味著它可以逐漸縮小與ASML之間的技術差距。巖本和德在談及設備成本時透露，盡管不同客戶的具體成本會有所不同，但納米壓印工藝的成本估計最低可以達到傳統光刻設備的一半。
近期，御手洗富士夫在一次報道中提到，佳能的NIL產品價格將比ASML的極紫外光刻(EUV)設備便宜一個數量級。這一價格優勢，加上其技術的進步，預示著佳能在半導體設備市場的競爭力正在快速提升。佳能與日本印刷綜合企業大日本印刷株式會社(Dai Nippon Printing Co.)以及存儲芯片制造商鎧俠控股(Kioxia Holdings Corp.)的合作研究已經進行了近十年，這為其技術的成熟和實用化奠定了堅實的基礎。
不同于基于反射光工作的極紫外光刻技術，佳能研究的納米壓印技術直接將電路圖案印刻在晶圓上，制造出的芯片在幾何形狀上與最先進節點相當，盡管速度較慢。佳能的這種新型設備有望減少芯片制造商對芯片代工廠的依賴，同時也為臺積電和三星電子等大型芯片代工廠提供了更多的可能性，它們可以更容易地批量生產芯片。這種機器的功率需求僅為同類EUV產品的十分之一。
自2014年起，佳能開始大力投資于納米壓印技術，收購了專注于這一領域的分子壓模公司 (Molecular Imprints Inc.)。作為全球領先的芯片制造商臺積電的供應商之一，佳能目前正在日本宇都宮市建設其20年來的第一家光刻設備新工廠，預計將在2025年開始運營。巖本和德在接受媒體采訪時表示，佳能已經收到了來自半導體制造商、大學和研究機構的大量詢問，這表明市場對于納米壓印技術作為EUV技術替代品的興趣日益增加，預計該技術將被廣泛應用于包括閃存、個人計算機的DRAM和邏輯IC等在內的各種半導體產品的生產中。
