【ITBEAR科技資訊】12月13日消息，本周二，三星電子董事長李在镕與SK集團董事長崔泰元前往荷蘭參觀ASML總部，并與ASML及韓國總統尹錫悅就半導體芯片聯盟展開深入討論。
當天晚些時候，ASML宣布與三星電子簽署備忘錄，雙方將合資投資1萬億韓元(約合54.5億元人民幣)，在韓國建立研究中心，致力于研究下一代極紫外(EUV)光刻機，以推動超精細半導體制造工藝的發展。
與此同時，ASML還宣布與SK海力士簽署ESG(環境、社會和公司治理)諒解備忘錄，計劃在環保、社會責任以及企業治理等方面展開合作。
值得關注的是，上個月初曾有報道稱，三星電子計劃在未來五年內從ASML采購50臺設備，每臺設備的價格約為2000億韓元，總價值可能達到10萬億韓元(約合545億元人民幣)。
三星電子去年6月推出了全球首個采用全柵極(GAA)技術的3納米代工技術，因此公司一直在積極采購EUV光刻設備，其目標是在明年上半年實現3納米代工工藝的第二代，到2025年實現2納米工藝，然后在2027年進一步進入1.4納米工藝。
正因如此，李在镕董事長去年6月曾訪問ASML總部，與首席執行官Peter Bennink就EUV設備采購問題進行了深入討論，并于去年11月在韓國期間再次與Bennink進行了會晤。考慮到EUV設備的交付周期至少需要一年，這些會議似乎已經取得了實質性的成果。
