【ITBEAR科技資訊】12月12日消息，今年10月，韓國的技術巨頭三星電子和SK海力士在一個重大發展中獲得了美國政府的特殊豁免。這一決策為這些公司提供了極大的便利，特別是在其中國工廠的運營方面。根據這項豁免，這些工廠現在可以無需額外的特別許可就直接進口半導體芯片制造設備。這一舉措不僅減輕了行政負擔，也加快了其生產和發展的步伐。事實上，這些公司在獲得豁免之后已經開始采取了一系列相應的措施來利用這一新的優勢。
三星電子在中國的最新項目——位于西安的三星12英寸閃存芯片制造設施，被稱為M-FAB項目，近日達成了一個重要里程碑。據報道，該項目的關鍵模塊已成功完成首次吊裝作業，這標志著該項目正式進入了主體施工階段。這一進展不僅體現了三星在中國市場的擴張計劃，也預示著該公司在全球半導體產業中的影響力不斷增強。
據ITBEAR科技資訊了解，三星(中國)半導體有限公司自2012年起就在西安高新區落戶，其西安工廠是三星唯一的海外存儲器半導體生產基地。這個工廠自2020年起開始擴建第二期工廠項目，目前已經成為全球最大的NAND制造基地之一。這個工廠每月可以生產超過20萬片12英寸晶圓，占據了三星NAND總產量的40%以上，這一數據在全球半導體產業中占據了舉足輕重的地位。
讓我們深入了解三星西安工廠的規模和投資情況。第一工廠的投資總額達到了108.7億美元，折合人民幣約為780.47億元。而2017年開始建設的第二工廠，總投資額更是高達150億美元，約合1077億元人民幣。這些數字清晰地表明了三星在中國市場的投入和承諾。
三星(中國)半導體公司的二期項目位于西安市長安區西太路綜合保稅區，由三星(中國)半導體有限公司負責投資和建設?？偨ㄖ娣e約為10.7萬平方米。官方表示，一旦這個項目完全建成并投入生產，它將成為全球最大的閃存芯片生產基地。這不僅將極大地促進西安市電子信息產業的高端集群化發展，還將幫助該市打造成為全球知名的電子信息產業創新高地。
Business Korea在今年10月的一篇報道中提到，三星電子的高層已經決定將其西安NAND閃存工廠升級到236層NAND工藝，并計劃進行大規模擴張。這一決策被看作是三星對未來市場需求的預判和對先進技術的投資。
據業內消息人士透露，三星已經開始采購最新的半導體設備，預計這些新設備將在2023年底交付，并計劃在2024年在西安工廠陸續引進能夠生產第8
代NAND的設備。這一戰略舉措被業界視為三星在全球NAND需求疲軟和產能下降的背景下所采取的重要步驟。
