【ITBEAR科技資訊】1月17日消息，近日蘋果的一項硬件升級決策引發(fā)了業(yè)界和消費(fèi)者的熱議。據(jù)悉，蘋果在其即將推出的iPhone 16系列中，可能會采用速度相對較慢的四層單元(QLC)NAND閃存，替代傳統(tǒng)的三層單元(TLC)NAND閃存，特別是在存儲容量達(dá)到或超過1TB的機(jī)型上。
這一變化主要源于QLC閃存的技術(shù)特性。QLC閃存相較于TLC閃存，其每個存儲單元可以存儲更多的數(shù)據(jù)位，從而在相同數(shù)量的存儲單元下實現(xiàn)更大的存儲容量，或者在達(dá)到相同存儲容量時使用更少的存儲單元。這種技術(shù)有助于蘋果降低生產(chǎn)成本，提高存儲空間的利用效率。
然而，據(jù)ITBEAR科技資訊了解，QLC閃存也存在一些潛在的缺點。由于其每個存儲單元需要處理更多的數(shù)據(jù)位，因此其寫入數(shù)據(jù)的耐久性可能會降低，同時讀取數(shù)據(jù)時也可能因為電荷量的增加而更容易受到噪聲干擾，導(dǎo)致位錯誤率上升。這意味著，如果蘋果真的在iPhone 16系列中采用QLC閃存，那么部分高容量版本的用戶可能會遇到數(shù)據(jù)寫入速度較慢的問題。
對于蘋果的這一決策，市場和消費(fèi)者反應(yīng)不一。有些人認(rèn)為這是蘋果在追求更高利潤和更低成本之間做出的妥協(xié)，而另一些人則擔(dān)心這可能會對iPhone 16系列的性能和用戶體驗產(chǎn)生負(fù)面影響。無論如何，這一切都還有待新款iPhone的正式發(fā)布和市場檢驗。
